一、等離子刻蝕的核心原理：物理刻蝕與化學刻蝕的協同

 

1.等離子體的產生與特性

 

產生機制：通過射頻（RF）、微波或電感耦合（ICP）等能量源，使刻蝕氣體（如CF?、Cl?、O?等）在真空腔體內電離，形成由離子、電子、自由基和中性粒子組成的等離子體。

 

關鍵特性：等離子體中的高能離子（如F?、Cl?）在電場作用下定向轟擊材料表面（物理刻蝕），而活性自由基（如CF?、Cl）則與材料發生化學反應生成易揮發產物（化學刻蝕）。

 

2.物理刻蝕與化學刻蝕的協同作用

 

物理刻蝕：離子轟擊使材料原子獲得足夠能量脫離表面，特點是刻蝕方向性強（垂直刻蝕），適合形成高深寬比結構，但選擇性較差（對不同材料刻蝕速率差異小）。

 

化學刻蝕：自由基與材料發生化學反應，如SiO?與F?反應生成SiF?氣體，特點是刻蝕選擇性高，但方向性弱（各向同性刻蝕）。

 

協同優勢：通過調節等離子體參數（如離子能量、自由基濃度），可在“高深寬比刻蝕”與“高選擇性刻蝕”之間取得平衡，滿足不同工藝需求（如邏輯芯片柵極刻蝕、存儲芯片深孔刻蝕）。

 

二、典型應用場景與刻蝕技術差異

 

1.邏輯芯片制造

 

柵極刻蝕：采用高深寬比刻蝕（如ICP技術），通過高離子能量與精確控溫，形成垂直側壁（偏差＜1°），避免短溝道效應。

 

接觸孔刻蝕：要求高選擇性（刻蝕硅/氧化硅速率比＞10:1），以保護底層器件不被損傷。

 

2.3DNAND存儲芯片

 

深孔刻蝕：需刻蝕深度達數微米（如1000層以上3DNAND孔深＞5μm），通過“刻蝕-鈍化”循環工藝（如Bosch工藝），利用CF?/O?與C?F?交替通入，形成側壁鈍化層，防止孔壁坍塌。

 

3.功率器件制造

 

碳化硅（SiC）刻蝕：因材料硬度高，需高能量離子轟擊（如使用Ar+離子），結合Cl?氣體增強化學刻蝕，刻蝕速率可達100nm/min以上。

 

總結

 

等離子刻蝕機的工作原理本質是通過等離子體調控實現物理與化學刻蝕的精準協同，其技術核心在于通過電源、氣體、真空等系統的精密控制，在不同應用場景下平衡刻蝕速率、選擇性與方向性。隨著半導體工藝向3nm以下節點演進，刻蝕技術正朝著更高精度、更低損傷和智能化方向發展，成為支撐摩爾定律延續的關鍵環節之一。